STE35 представляет собой современную технологическую платформу для прецизионного выращивания эпитаксиальных слоев на подложках диаметром до 100 мм, а также трех подложках диаметром 2” в одном процессе. Областью применения установки МЛЭ STE35 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур в режиме “lab to fab” в системах материалов InAlGaAsSb или InGaAlN в режиме РА-МВЕ. Система STE35 создана на основе более чем 25-летнего опыта наших специалистов в области разработки и производства молекулярно-лучевой эпитаксии.