 |
Пластины сапфира для полупроводниковых изделий
Благодаря диэлектрическим и кристаллографическим свойствам сапфир представляет собой великолепный материал для изготовления различных пластин электронного применения. Сапфир является основным материалом при производстве светоизлучающих диодов, поскольку его кристаллическая решетка позволяет наращивать эпитаксиальный слой нитрида галлия (GaN) с хорошими рабочими характеристиками и соотношением цена/качество; кроме того, он достаточно широко распространен.
Артикул:
Поставщик:
АО «Монокристалл» Описание
Из новых интересных применений сапфира можно отметить использование сапфировых подложек при изготовлении голубых полупроводниковых лазеров для систем, требующих высокой плотности записи данных, например, в современных игровых приставках, плеерах формата Blue-ray и других устройствах типа HD-DVD.
Монокристалл предлагает 2", 3", 4", 6", 8", 10" эпи-полированные пластины, а также резанные/шлифованные заготовки, как стандартные так и по спецификациям заказчика (разориентированные, с полировкой нерабочей поверхности, различной толщины). Пластины и заготовки пластин изготавливаются из кристаллов, выращенных методом Киропулоса.
Преимущества наших пластин:
высокая чистота материала: > 99,997%;
низкое содержание примесей Ti: < 1 ppm;
низкая плотность дислокаций: < 103 см-2;
допуск по ориентации: до ± 0,05 градуса.
Пластины сапфира для полупроводниковых изделий предлагаются с различной ориентацией, включая плоскости M, А, R, C. Возможно производство пластин различной формы (круглой, прямоугольной или квадратной), от нескольких мм до 250 мм в диаметре, с обработкой в соответствии со спецификацией заказчика.
Толщина пластин варьируется в диапазоне от 0,15 мм до 1,0 мм в зависимости от области применения. Оборудование позволяет контролировать производство пластин с момента выращивания кристалла до изготовления конечной продукции.
Монокристалл предлагает 2", 3", 4", 6", 8", 10" эпи-полированные пластины, а также резанные/шлифованные заготовки, как стандартные так и по спецификациям заказчика (разориентированные, с полировкой нерабочей поверхности, различной толщины). Пластины и заготовки пластин изготавливаются из кристаллов, выращенных методом Киропулоса.
Преимущества наших пластин:
высокая чистота материала: > 99,997%;
низкое содержание примесей Ti: < 1 ppm;
низкая плотность дислокаций: < 103 см-2;
допуск по ориентации: до ± 0,05 градуса.
Пластины сапфира для полупроводниковых изделий предлагаются с различной ориентацией, включая плоскости M, А, R, C. Возможно производство пластин различной формы (круглой, прямоугольной или квадратной), от нескольких мм до 250 мм в диаметре, с обработкой в соответствии со спецификацией заказчика.
Толщина пластин варьируется в диапазоне от 0,15 мм до 1,0 мм в зависимости от области применения. Оборудование позволяет контролировать производство пластин с момента выращивания кристалла до изготовления конечной продукции.