Описание

Основные параметры f, ГГц Δf/f, % S, МГц/В Рвых, мВт
На биполярных и полевых транзисторах 0,1...14 10...67 5...500 10...300
На диодах Ганна и лавинно-пролетных диодах 8...110 10...40 50...900 3...100