Произведенные по улучшенной планарной технологии, транзисторы имеют более низкие значения входной емкости и заряда затвора, которые обеспечивают меньшие потери при работе на динамической нагрузке.

Линейка планарных N-channel транзисторов выполнена в диапазоне:

• Напряжение от 30 до 1500 В,
• Ток от 1 до 100 А,
• Сопротивление от 5 мОМ до 15 Ом.

Линейка trench N-channel транзисторов выполнена в диапазоне:

• Напряжение от 30 до 100В,
• Тока от 10 до 100 А,
• Сопротивление от 5 мОм до 100 мОм.

Доступные корпуса: TO-220, ТО-247, TO-251, TO-252, TO-263.

Основные преимущества используемых технологий:

• Planar: повышенная устойчивость к воздействию энергии лавинного пробоя. Надежность в работе.
• Trench: компактные размеры, более плотная упаковка, большие значения тока, меньшее сопротивление открытого канала. Это позволяет использовать данный тип MOSFET в приборах большой мощности за счет увеличения значения PD.
• Low charge: низкие потери при переключении в связи с низким зарядом затвора и низкой входной емкостью.

Дополнительно вся продукция тестируется на устойчивость к энергии лавинного пробоя.

Вся продукция проходит строгий контроль качества и выполнена по стандарту ISO 9001:2008.

Преимущества:

• Низкое значение заряда затвора QG;
• Легкость параллельного включения;
• Частота переключения до 100 кГц;
• Низкое значение входной емкости Сiss;
• Низкое сопротивление RDS(on);
• Вся продукция проходит стресс-тест на устойчивость к лавинному пробою (100% Avalanche test);
• Технологии: Trench, Low charge, Planar.

Области применения:

• Источники бесперебойного питания,
• DC/DC преобразователи;
• PWM контроллеры;
• Бытовая техника;
• Сварочное оборудование;
• Автоэлектроника.

Технические характеристики
Артикул AnB90N03
Vds(max) 30В
Id(max) 90 (75)
VGS(th) 2.0 – 4.0
Корпус ТО263
RDS(on) 0.005
Тип технологии Trench
Готовность производства Опытные образцы, серийное производство Q1-Q2’17