Описание

Обладает минимальным разбросом времени пролета в пределах рабочей площади фотокатода.

Применение
исследование быстропротекающих процессов.

Основные параметры
Диаметр фотокатода, мм 40
Диаметр прибора, мм 52
Материал фотокатода SbKCs
Напряжение питания соответствующее:
– световой анодной чувствительности 100 А/лм, В≤2000
– световой анодной чувствительности 1000 А/лм, В≤2450
Диапазон спектральной чувствительности, нм 300÷650
Световая чувствительность фотокатода, мкА/лм ≥40
Спектральная чувствительность фотокатода на Ȝ=410 нм, мА/Вт ≥50
Время нарастания импульсной характеристики, нс ≤3
Энергетическое разрешение на кристалле NaI (TI) 57Co, %≤11
Энергетический эквивалент собственных шумов, кэВ 1,5
Скорость счета одноэлектронных темновых импульсов, имп./с. ≤1000
Одноэлектронное амплитудное разрешение на уровне 0,75 высоты пика, % ≤95