АО "Светлана – Рост" поставляет выращенные по спецификации заказчика следующие эпитаксиальные структуры:
в системе Ga(Al,In)As на подложках GaAs диаметром 50,8, 76 и 100 мм следующих типов:
MESFET (Технические условия СВБШ.6341-001-74774711-2008 ТУ)
pHEMT (Технические условия СВБШ.6365-003-74774711-2010 ТУ)
mHEMT (Разработка в стадии завершения)
фотоприемники в системе AlGaAs/GaAs (Разработка в стадии завершения)
в системе Al(Ga,In)N на подложках сапфира и полуизолирующего карбида кремния диаметром 50,8 и 76 мм следующих типов:
DH-FET (Технические условия СВБШ.6365-001-74774711-2010 ТУ)
QW-FET (Разработка в стадии завершения: СВБШ.6365-74774711-2011 ТУ, Проект ТУ)