Установки молекулярно-лучевой эпитаксии серии STE3N* специально разработаны с учетом специфики роста материалов A3N и обеспечивают чрезвычайно широкий технологический диапазон доступных ростовых параметров (эффективный поток азота, температура подложки, рабочий вакуум). В конструкции установок успешно решена задача обеспечения предельно высоких температур на подложке (>1200°С), что позволяет выращивать толстые высококачественные буферные слои AlN/AlGaN с использованием аммиака в качестве источника азота. Данная технология обеспечивает получение активных слоёв полупроводниковых приборов с рекордно низкой для МЛЭ плотностью дислокаций.