.jpg) |
Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-135А
Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-135А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.
Артикул:
Поставщик:
АО "Швабе"Описание
СПРАВОЧНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°)
Температурный дрейф длины волны излучения - не более 0,3 нм/°C
Рабочая температура корпуса – минус 55...+70 °C
Минимальная наработка – 109 импульсов
Конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке
Производится на АО «Научно-исследовательский институт «Полюс» имени М.Ф. Стельмаха»
Мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°)
Температурный дрейф длины волны излучения - не более 0,3 нм/°C
Рабочая температура корпуса – минус 55...+70 °C
Минимальная наработка – 109 импульсов
Конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке
Производится на АО «Научно-исследовательский институт «Полюс» имени М.Ф. Стельмаха»
Спецификация
1. Specification_RUS.docx