Описание

Технология изготовления – молекулярно-пучковая эпитаксия на подложках GaAs и InP
Область применения - оптоэлектронные и микроволновые приборы (лазерные диоды, в том числе вертикально-излучающие лазеры, фотодиоды, СВЧ транзисторы и диоды и др.)
100% диагностика параметров эпитаксиальных гетероструктур (анализ плотности дефектов, карты фотолюминесценции и слоевого сопротивления)
Точная калибровка состава эпитаксиальных слоев, толщины и уровня легирования с использованием рентгеноструктурного анализа, фотолюминесценции, измерений эффекта Холла и электрохимического вольт-емкостного профилирования
Изготовление по дизайну заказчика