Продукция
Установка проявления негативного фоторезиста УПФ-2
Поставщик: АО "Российская электроника"
.jpg)
Установка предназначена для проявления позитивного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87. Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2.
Установка нанесения позитивного фоторезиста УНФ-1
Поставщик: АО "Российская электроника"
.jpg)
Установка предназначена для нанесения позитивного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87.
Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2.
Установка нанесения негативного фоторезиста УНФ-2
Поставщик: АО "Российская электроника"
.jpg)
Установка предназначена для нанесения негативного фоторезиста на подложке методом центрифугирования. Установка может применяться автономно и в составе линии. Установка изготовлена в климатическом исполнении УХЛ 4.1 по ГОСТ 15150-69. Питание установки осуществляется от сети переменного тока напряжением 220В частотой 50 Гц. Требование к качеству электрической энергии по ГОСТ 13109-87. Установка обеспечивает работу при подаче сжатого воздуха по ГОСТ 17433 под давлением 3*105 Па, 3кгс/см2.
Технохимическое оборудование для полупроводникового производства
Поставщик: АО "Российская электроника"
.jpg)
Комплект оборудования для технохимической обработки подложек в производстве микрополосковых плат в составе:
Линия химического осаждения золота;
Линия подготовки поверхности меди перед нанесением фоторезиста на проводниковые слои и перед золочением;
Линия травления резистивных слоев;
Линия химической подготовки подложек перед напылением резистивных и проводниковых слоев;
Линия предварительной химической подготовки подложек перед напылением.
Установка получения гипохлорита натрия
Поставщик: АО "Российская электроника"
.jpg)
Электролизная установка УР.Р-8-2 предназначена для приготовления и дозирования раствора гипохлорита натрия , получаемого из раствора поваренной соли путем электролиза. Гипохлорит натрия подается в блок микрофильтров. Доза по активному хлору 3 мг/л. При дозе 3 мг/л необходимо 75 л раствора гипохлорита натрия в сутки.
Алмазные диски
Поставщик: АО "Российская электроника"
.jpg)
Малый износ и высокая режущая способность.
Высокая жесткость.
Широкий спектр обрабатываемых материалов.
Возможны различные концентрации алмазных зерен для достижения наилучшего качества резки.